Kategorie
Nové Produkty
Kontrola Kvality
Revize
Domov
/
Diskrétní Polovodiče
/
Tranzistory - FET, MOSFETy - RF
/ NXP Semiconductors A2G35S200-01SR3
A2G35S200-01SR3
Active - AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Výrobce:
NXP Semiconductors
Část výrobce #
A2G35S200-01SR3
Kategorie:
Tranzistory - FET, MOSFETy - RF
Datový list:
A2G35S200-01SR3
Popis:
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
A2G35S200-01SR3 Datový list
This browser does not support PDFs. Please download the PDF to view it:
Download PDF
.
A2G35S200-01SR3 Inventář: 18080
Historie Cena
$154.06000
5.0 / 5.0
Odeslat Poptávku
Číslo Dílu *
Výrobce
Kontaktní Osoba *
E-mailová *
Poptávkové Množství *
Země Dodání *
Active - AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
