EPC8004
Active - GANFET N-CH 40V 4A DIE
Popis:
GANFET N-CH 40V 4A DIE
EPC8004 Specifikace
Atribut Produktu
Hodnota Atributu
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odtok (id) @ 25°C
4A (Ta)
Napětí měniče (max. počet stran zapnutý, min. počet minut zapnutý)
5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
Náboj brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.45 nC @ 5 V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
52 pF @ 20 V
Ztrátový výkon (maximální)
-
Provozní teplota
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
Die
