2N7000-G
Active - MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Popis:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
2N7000-G Specifikace
Atribut Produktu
Hodnota Atributu
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odtok (id) @ 25°C
200mA (Tj)
Napětí měniče (max. počet stran zapnutý, min. počet minut zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Náboj brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
60 pF @ 25 V
Ztrátový výkon (maximální)
1W (Tc)
Provozní teplota
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Balíček zařízení dodavatele
TO-92-3
Balení / Pouzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
,TO-226_straightlead.jpg)
