HS3JB
Active - DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Popis:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
HS3JB Specifikace
Atribut Produktu
Hodnota Atributu
Napětí - stejnosměrný zpětný chod (Vr) (Max)
600 V
Proud - Průměrný usměrněný (Io)
3A
Napětí - dopředné (Vf) (Max) @ if
1.7 V @ 3 A
Rychlost
Fast Recovery = 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr)
75 ns
Proud - reverzní únik @ Vr
10 μA @ 600 V
Kapacita @ Vr, F
50pF @ 4V, 1MHz
Typ montáže
Surface Mount
Balení / Pouzdro
DO-214AA, SMB
Balíček zařízení dodavatele
DO-214AA (SMB)
Provozní teplota - křižovatka
-55 ℃ ~ 150 ℃
