CAB006M12GM3
Active - 1200V 2B HALF-BRIDGE
Popis:
1200V 2B HALF-BRIDGE
CAB006M12GM3 Specifikace
Atribut Produktu
Hodnota Atributu
Typ FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkce FET
Silicon Carbide (SiC)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1200V (1.2kV)
Proud - trvalý odtok (id) @ 25°C
-
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
6.9mOhm @ 200A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 69mA
Náboj brány (Qg) (Max) @ Vgs
708nC @ 15V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
20400pF @ 800V
Provozní teplota
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček zařízení dodavatele
-
